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标准号：GB/T 44558-2024

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中文标准名称：III族氮化物半导体材料中位错成像的测试 透射电子显微镜法

英文标准名称：Test method for dislocation imaging in III-nitride semiconductor materials—Transmission electron microscopy
标准状态：即将实施 推荐性

基础信息

  • 中国标准分类号（CCS）：H21
  • 国际标准分类号（ICS）：77.040
  • 标准类别：方法
  • 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会
  • 发布日期：2024-09-29
  • 实施日期：2025-04-01
  • 主管部门：国家标准委
  • 归口部门：国家标准委

其它信息

  • 起草单位：主要起草单位 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 、苏州纳维科技有限公司 、江苏第三代半导体研究院有限公司 、苏州科技大学 、北京大学 、国家纳米科学中心 、北京大学东莞光电研究院 、东莞市中镓半导体科技有限公司 、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司 、苏州大学 、山东浪潮华光光电子股份有限公司 、北京国基科航第三代半导体检测技术有限公司 。
  • 温馨提示：本系统所提供的电子文本仅供参考，请以正式标准出版物为准。

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